Тел.: +7 (863) 298-83-75
Тел.: +7 (918) 558-83-75
Тел.: +7 (918) 554-65-49
 

SAMSUNG начинает серийное производство памяти DDR4 объемом 128 гб

Южнокорейская компания Samsung Electronics, организовавшая производство уникальной ОЗУ, объявила о начале серийного выпуска модулей памяти DDR4 объемом — 128 ГБ. До сих пор регистровые модули могли похвастать лишь 64 ГБ. Таких выдающихся показателей разработчикам помогла добиться объемная компоновка с помощью сквозных отверстий через кремний (Through-Silicon-Vias, TSV). Этот метод позволяет добиться впечатляющих результатов. Ранее в традиционных пакетах чипов кристаллы соединялись между собой проводным монтажом, а сейчас в пакетах TSV кристаллы чипов обрабатываются до толщины в несколько десятков микронов, после чего в них создаются сотни мельчайших отверстий, через которые проводятся электроды. Такая технология позволяет увеличить скорость передачи сигнала. Как заявил исполнительный вице-президент по продажам и маркетингу решений памяти Samsung Electronics Джу Сун Чой – Мы очень рады, что серийное производство наших высокоскоростных, энергоэкономичных модулей 128 ГБ TSV DRAM позволит нашим партнерам выпустить новое поколение корпоративных решений со значительно возросшими показателями эффективности и мастабируемости с учетом вложенных средств. Наша компания будет продолжать расширять техническое сотрудничество с международными лидерами на рынке серверов, бытовой электроники и на новых рынках, где потребители смогут извлечь пользу из инновационных технологий, которые повышают их производительность работы и расширяют возможности конечных пользователей. Новые планки RDIMM состоят из 144 микросхем DDR4, объединенных в 36 4ГБ DRAM пакетов (каждый состоит из четырех 8-гигабитных чипов класса 20нм). Между собой чипы связаны межслойными соединениями. Заявленный технологический процесс – 20 нм. Максимальная частота модулей 2400 МГц. В результате, SAMSUNG обеспечил решение с низким энергопотреблением серверов следующего поколения со скоростью 2400 мегабит в секунду (Mbps), достижения почти в два раза производительности, сокращая энергопотребление на 50 процентов, по сравнению с предыдущими DRAM модулями – 64гб. Samsung укрепляет свое технологическое лидерство путем введения TSV DRAM с более высокой производительностью. Уже сейчас разработчики говорят, что ждать появления DDR4 со скоростью передачи данных до 2,667 и 3,200 мегабит в секунду осталось недолго.

В России одобрили использование нового стандарта передачи данных - 802.11ad (WiGig)

Российская комиссия по радиочастотам одобрила использование нового стандарта 802.11ad ...
Подробнее

Microsoft озабочены тем, что многие пользователи не желают уходить с Windows 7

Уже прошло полгода с момента выпуска Windows10 и компания Microsoft собрала статистику ...
Подробнее

SAMSUNG начинает серийное производство памяти DDR4 объемом 128 гб

Южнокорейская компания Samsung Electronics, организовавшая производство уникальной ОЗУ, ...
Подробнее

Wi-Fi сможет заряжать по воздуху аккумуляторы

Технология зарядки устройств с помощью wi-fi была разработана специалистами из ...
Подробнее